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日本半导体材料大厂昭和电工近日宣布，其碳化硅（SiC）功率半导体的8英寸SiC外延晶圆已开始进行样品出货。昭和电工表示，和原先使用硅晶圆的功率半导体相比，SiC功率半导体的电力损耗更少、更不易发热，来自电动车、再生能源领域的需求急增。

SiC半导体性能优异，其禁带宽度是硅的3倍，击穿电压是硅的8-10倍，导热率是硅的3-5倍，电子饱和漂移速率是硅的2-3倍。SiC能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，是制作高温高频、大功率高压器件的理想材料之一。券商人士分析指出，未来随着大直径衬底占比提升、衬底和外延晶片质量提高、单晶平均可用厚度持续增加以及扩产导致规模效应增大，SiC产业链各环节成本有望持续降低，并实现对于下游领域的加速渗透。

关键词： 三代半导体