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东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET


(资料图片)

东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)和东芝株式会社(Toshiba Corporation)(统称“东芝”)已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该晶体管将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成方格状(方格状嵌入式SBD),以实现低导通电阻和高可靠性。东芝已经证实,与目前的SiC MOSFET相比,这种设计能够在不影响可靠性的前提下,将导通电阻[1]?(RonA)降低约20%。[2]

东芝:新开发的方格状SBD嵌入式SiC MOSFET的MOSFET示意图(图示:美国商业资讯)

关键词: 株式会社 肖特基势垒二极管 高可靠性 的前提下 电子元件

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